FF200r12ks4 200 a Moduli IGBT doppi con IGBT2 veloce Disponibile con materiale di interfaccia termica Alta

Informazioni basilari.

Modello numero.	FF200R12KS4
Modello	ST
Numero di lotto	2010+
Marca	Infineon
IC(Nome) / Se(Nome)	200 a
Tecnologia	IGBT2
Configurazione	Doppio
Voltaggio	1200 V
Pacchetto di trasporto	Cartone
Marchio	Infineon
Origine	Germania
Capacità produttiva	50000 PC/Anno

Descrizione del prodotto

Parametrica	FF200R12KS4
Configurazione	Doppio
Dimensioni (larghezza)	61,4 mm
Dimensioni (lunghezza)	106,4 mm
Caratteristiche	Chip IGBT veloce a coda corta
Alloggiamento	62 mm
IOC(nome)/ IOF(nome)	200A
IOCmassimo	200A
Qualificazione	Industriale
Tecnologia	IGBT2 veloce
VCE(villaggio)(Tvj=25°C tipico)	3,2 V
VF(Tvj=25°C tipico)	2 V
Classe di tensione max	1200 V

MODELLO:

FF100R12KS4

FF150R12KS4

FF200R12KS4

FF300R12KS4

I moduli IGBT doppi Infineon da 62 mm 1200 V, 200 A con IGBT2 veloce per la commutazione ad alta frequenza sono la scelta giusta per il tuo progetto. Disponibile anche con materiale di interfaccia termica.

Riepilogo delle funzionalità

• Elevata capacità di cortocircuito
• Corrente di cortocircuito autolimitante
• Basse perdite di commutazione
• Robustezza imbattibile
• V_CEsatcon coefficiente di temperatura positivo
• Pacchetto con CTI > 400
• Elevate distanze superficiali e di spazio libero
• Piastra di base isolata
• Piastra di base in rame
• Alloggiamento standard

Benefici

• Flessibilità
• Prestazioni elettriche ottimali
• Massima affidabilità

Applicazioni
Gruppi di continuità (UPS)